IGTB’s

De nieuwe M-serie 1200 V IGBT’s van STMicroelectronics hebben een geavanceerde trench-gate field-stoptechnologie om meer energie te besparen en de betrouwbaarheid te vergroten. Ze vinden hun toepassing in solar-omvormers, lasapparatuur, noodstroomvoorzieningen en industriële aandrijvingen.

De nieuwe IGBT’s zijn geschikt voor het gebruik in hard-switching circuits, werkend tot 20 kHz. Een verhoogde werktemperatuur tot 175^oC, een breed, veilig werkgebied (SOA) met latch-up-vrije werking en een kortsluitingsweerstandtijd van 10 µs bij 150^oC, zorgen voor robuuste prestaties in zware en elektrische omgevingen.

Energieverliezen verminderen
De derde generatie technologie in het hart van deze nieuwe apparaten bevat een nieuw geavanceerd ontwerp voor trench-gate structuur en een geoptimaliseerde hoogspanning IGBT-architectuur. Dit minimaliseert overspanning en elimineert trillingen tijdens uitschakeling, waardoor energieverliezen verminderen en het circuit-design eenvoudiger wordt. Tegelijkertijd verzekert lage verzadiging van spanning (Vce(sat)) hoge geleidingsefficiëntie. De positieve temperatuurcoëfficiënt en de strakke distributieparameter van Vce(sat) vereenvoudigen parallel schakelen van apparaten voor meer power-handlingcapaciteit. 

De nieuwe apparaten profiteren ook van een verbeterde efficiëntie op turn-on. Bovendien is de nieuwste generatie diodetechnologie bijgesloten bij anti-parallel met de IGBT. Dit biedt snelle hersteltijd en verbeterde zachtheid zonder aanzienlijk verhoogde verliezen bij de opstart. Dit geeft goede EMI-prestaties.