Silicium Carbide Power Modules

SEMIKRON biedt volledige Silicium Carbide Power Modules in MiniSKiiP, SEMITOP en SEMITRANS behuizingen. In dit programma worden de nieuwste generatie SIC-MOSFET’s van de toonaangevende fabrikanten gebruikt, om te worden toegepast in de behuizingen MiniSKiiP, SEMITOP en SEMITRANS. In combinatie met hoge schakelfrequenties, lage verliezen en maximale efficiëntie wordt de hoogste vermogensdichtheid en het hoogste uitgangsvermogen gehaald. Door de toename van de schakelfrequentie kan het uitgangsfilter aanzienlijk worden gereduceerd. Omdat het vermogensverlies wordt verminderd, nemen ook de kosten voor het koelen van de componenten af, doordat kleinere koellichamen en ventilatoren kunnen worden toegepast. Volledige Silicium Carbide Power Modules zijn beschikbaar van 20A tot 540A in 1200V technologie, met en zonder anti-parallel vrijloop Schottky diode. Naast de klassieke 6-pack schakelingen, zijn er topologieën met gescheiden output waarmee een flexibele integratie in uw applicatie mogelijk is. Verder zijn halve-bruggen en boost converters inclusief bypass diode beschikbaar. Hybride Silicium Carbide Power Modules zijn beschikbaar in SEMITRANS en SKiM63/93 behuizing. De laatste IGBT technologie wordt hierbij gecombineerd met SiC Schottky vrijloopdiodes, deze hebben vrijwel geen schakelverliezen en reduceren drastisch de inschakelverliezen van de IGBT. Deze modules zijn beschikbaar van 8A tot 450V in 1200V technologie als 6 pack en halve-bruggen.